刘阳，工学博士，硕士生导师，主要研究方向是半导体器件的机理和设计。先后获批山东省自然科学基金青年项目、国家自然科学基金青年项目，获批科研经费45万。先后发表SCI论文4篇。

目前，芯片中绝大多数的晶体管元件仍是基于传统的Si材料。然而，Si 基半导体器件的性能已接近理论极限，这很大程度上限制了芯片性能的进一步提升。为进一步提升半导体器件的性能，采用新材料取代传统的Si基半导体器件十分必要。刘阳致力于对GaN材料及AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HFETs）器件的研究，力图推动AlGaN/GaN HFETs的性能提升，加速其应用化进程，从而促进芯片性能的提升。

在深入研究AlGaN/GaN HFETs的过程中，刘阳发现，采用分裂栅结构可以使器件在低电流下保持栅极的有效调制，从而降低器件作为电压放大器时的功耗。由于分裂栅AlGaN/GaN HFETs的性能并不稳定，刘阳从器件结构和材料结构两方面出发，提出了器件性能的优化方案。

在进行应用研究的同时，刘阳也十分重视对物理机理的研究。他认为，深入研究器件内部的物理机理，一方面有利于加深对器件工作机制的理解，另一方面也能为器件的性能优化提供理论指导。刘阳在研究工作中，把极化库仑场散射理论推广到分裂栅AlGaN/GaN HFETs中，并将其应用于器件的结构优化，以提升分裂栅器件的输运特性，加速其应用化进程。相关研究已获批国家自然科学基金青年项目一项，山东省自然科学基金青年项目一项。

                                                                                                                                                          （文图/刘阳）