专业：微电子学与固体电子学

研究方向：半导体器件

邮箱：220121@sdjtu.edu.cn

微信号：B7DYYQS

招生专业领域：机械专业机器人工程领域

个人简介：刘阳，男，汉族，1992年2月生，工学博士，讲师，群众。科研方面，主要从事以AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HFETs）为主的半导体器件的相关研究工作。AlGaN/GaN HFETs是宽禁带半导体器件的重要代表，具有很高的击穿电场及饱和电子漂移速度，特别契合高频、大功率领域的应用。相关研究最大的特色在于以极化库仑场（PCF）散射理论为指导，可以深入分析器件内部的散射机制。教学方面，先后完成《物联网技术及应用》、《计算机组成原理》、《人工智能基础》等课程的教学任务。

主持主要科研项目：

[1] 山东省科学技术厅, 山东省自然科学基金青年项目, ZR2023QF120, 基于极化库仑场散射的分裂栅AlGaN/GaN异质结场效应晶体管输运特性研究, 2024-01 至 2026-12, 15万元, 在研。

代表性论文：

[1] Yang Liu, Chen Fu, Guangyuan Jiang, Guangyuan Zhang, Guang Yang, Yuanjie Lv, Zhaojun Lin, Effect of device size on conduction channel effective width and polarization Coulomb field scattering intensity of split-gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors, Journal of Applied Physics, 2023, 134(16): 165703.

[2] Yang Liu, Yuanjie Lv, Shuoshuo Guo, Zhengfang Luan, Aijie Cheng, Zhaojun Lin, Yongxiong Yang, Guangyuan Jiang, Yan Zhou, A novel AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor based on open-gate technology, Scientific Reports, 2021, 11(1): 22431.

[3] Yang Liu, Yuanjie Lv, Zhaojun Lin, Yongxiong Yang, Guangyuan Jiang, Yan Zhou, A submicron split-gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor for class-A common-source voltage amplifier applications, Micro and Nanostructures, 2022, 168: 207319.

[4] Yang Liu, Yuanjie Lv, Heng Zhou, Zhaojun Lin, Yongxiong Yang, Guangyuan Jiang, Yan Zhou, Mingyan Wang, A split-gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor with an auxiliary gate, AIP Advances, 2022, 12(2): 025012.